铝的导体电阻率是多少

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铝的导体电阻率是多少金融界2023年11月28日消息，据国家知识产权局公告，华为技术有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法”的专利，公开号CN117133653A,申请日期为2022年5月。专利摘要显示，本申请实施例提供一种半导体结构的制备方法，涉及半导体技术领域，用于降低欧姆接触电阻率并提升制还有呢？

铝的导体电阻率金融界2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体器件及其制造方法“授权公告号CN108695433B等会说。 在第一中间电极上的第一双向阈值开关(OTS)以及在第一OTS和第一位线之间的第一上电极。第一下电极的电阻率在约1至约30mΩ·cm的范围等会说。

╯ω╰ 华为技术有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法“公开号CN117747642A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，实现了第一电极层与外延层的欧姆接触，减小了欧姆接触的接触电阻率，有助于减小半导体器件的导通电阻，进而降低半说完了。